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Si3443DVPbF
1600
1200
V GS = 0V,   f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
15
12
I D = -4.5A
V DS =-10V
9
800
6
400
Coss
Crss
3
0
1
10
100
0
0
4
8
12
16
20
24
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
10
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10us
T J = 25 C
1
T J = 150 ° C
°
10
1
100us
1ms
10ms
0.1
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
V GS = 0 V
2.0     2.4
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
Single Pulse
0.1
0.1
1
10
100
4
-V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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